Seminar

■ 제 목:  나노스케일 반도체 금속배선 소재 

 

 연 사:  김영근 교수 (고려대)  

 

■  일 시:  9월 24일(화) 16:00

 

■ 장 소:  응용공학동 (W1) 1층 영상강의실

 

 Host :  전석우 교수 

  

 Abstract :   

반도체 소자의 고집적화에 따라 금속배선(metalization)의 저항이 소자 전체에 영향을 미치게 되어, 10 nm 이하 기술노드 경우 저저항 금속배선의 필요성이 대두되고 있다특히배선 중 가장 작은 크기를 갖는 컨택 플러그의 경우일렉트로마이그레이션에 대한 내성과 열적 안정성이 우수한 텅스텐(W)이 활용되고 있으나비저항 증가가 커져 대체 소재에 대한 필요성이 제기되고 있다나노스케일 소재의 저항은 물질의 평균자유행로에 비례하며 표면과 결정립 산란 정도에 따라 증가하므로이런 저항 요소들을 낮출 수 있으며 배선공정이 쉬운 신소재 발굴에 관한 관심이 높아지고 있다본 발표에서는 반도체의 발전에 따른 소재와 공정의 변화저저항 소재 연구개발 동향, Co와 Ru계 나노구조의 제조와 전기적 특성분석 사례에 대한 논의하고 자 한다.